过去单条DDR4 记忆体容量最大为64GB,不过今天这个纪录再次被打破。
三星 Electronics 在26 日发布新闻稿,宣布开始量产单条128GB 容量的DDR4 DRIMM 记忆体,不过这款产品主要锁定Server 以及Data Centers 市场。
128GB 记忆体拥有36 颗4GB 容量的“大” 颗粒,分布在左右两侧。
根据新闻稿中提到,这36 颗“大” 颗粒是由144 颗20nm 制程的8Gb(1GB)记忆体颗粒所组成;简单来说每颗“大” 颗粒内拥有4 颗小颗粒,而三星 Electronics使用的是TSV 封装技术。
三星 Electronics 的128GB DDR4 RDIMM 时脉目前为2,400MHz,未来会逐步提升到2,667MHz 或是更高的3,200MHz。
除了应用在RDIMM 上,三星 Electronics 预期会将TSV 封装技术采用HBM 中;目前三星 Electronics 是与NVIDIA 在HBM 上进行合作,至于AMD 则是和SK Hynix。
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